SI4501ADY-T1-E3

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SI4501ADY-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4501BDY-T1-GE3


SI4501ADY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.027.0.06 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.3 W

漏源极电压Vds 30V, 8V

连续漏极电流Ids 6.30 A

额定功率Max 1.3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4501ADY-T1-E3
型号: SI4501ADY-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
替代型号SI4501ADY-T1-E3
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