








MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
得捷:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4501BDY-T1-GE3
漏源极电阻 0.027.0.06 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds 30V, 8V
连续漏极电流Ids 6.30 A
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4501ADY-T1-E3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SI4501ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SI4501ADY-T1-E3和SI4501ADY-T1-GE3的区别 |
SI4501DY Vishay Siliconix | 功能相似 | SI4501ADY-T1-E3和SI4501DY的区别 |
SI4501DY-T1-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | SI4501ADY-T1-E3和SI4501DY-T1-E3的区别 |