SQ4284EY-T1_GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SQ4284EY-T1_GE3概述

MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 40V - 3.9W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

SQ4284EY-T1_GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

额定功率Max 3.9 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQ4284EY-T1_GE3

型号： SQ4284EY-T1_GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC