MOSFET P-CH 20V 145mA SOT563F
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 145mA 250mW 表面贴装型 SC-89-6
得捷: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
贸泽: MOSFET 20V 0.15A
漏源极电阻 8.00 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 280 mW
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 -20.0 V
栅源击穿电压 ±5.00 V
连续漏极电流Ids -500 mA
额定功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SC-89-6
长度 1.66 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册