SQJ951EP-T1_GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SQJ951EP-T1_GE3概述

MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 30A 56W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双

得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK

SQJ951EP-T1_GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1680pF @10VVds

额定功率Max 56 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQJ951EP-T1_GE3

型号： SQJ951EP-T1_GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK