SI1903DL-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1903DL-T1-E3概述

MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6 SOT-363

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6

DeviceMart:
MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6

SI1903DL-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 995 mΩ

极性 P-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 300 mW

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 440 mA

额定功率Max 270 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI1903DL-T1-E3

型号： SI1903DL-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6

替代型号SI1903DL-T1-E3