SI1917EDH-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1917EDH-T1-E3概述

MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 12V 1A 570mW Surface Mount SC-70-6 SOT-363

得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

DeviceMart:
MOSFET P-CH DUAL 12V SC70-6

SI1917EDH-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.37 Ω

漏源极电压Vds 12 V

额定功率Max 570 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1917EDH-T1-E3

型号： SI1917EDH-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

替代型号SI1917EDH-T1-E3