SI4505DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4505DY-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V，8V 6A，3.8A 1.2W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

SI4505DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30V, 8V

额定功率Max 1.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4505DY-T1-E3

型号： SI4505DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

替代型号SI4505DY-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4505DY-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI4505DY-T1 Vishay Siliconix	功能相似	SI4505DY-T1-E3和SI4505DY-T1的区别

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SI4505DY-T1

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