SI4622DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4622DY-T1-GE3概述

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 8A 3.3W，3.1W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

DeviceMart:
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

SI4622DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 2458pF @15VVds

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4622DY-T1-GE3

型号： SI4622DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

替代型号SI4622DY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4622DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI4916DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SI4622DY-T1-GE3和SI4916DY-T1-GE3的区别
SI4388DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI4622DY-T1-GE3和SI4388DY-T1-GE3的区别
SI4618DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI4622DY-T1-GE3和SI4618DY-T1-GE3的区别