SI1965DH-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1965DH-T1-E3概述

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 12V 1.3A 1.25W 表面贴装型 SC-70-6（SOT-363）

得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

SI1965DH-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 12 V

输入电容Ciss 120pF @6VVds

额定功率Max 1.25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1965DH-T1-E3

型号： SI1965DH-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

替代型号SI1965DH-T1-E3