SI4804CDY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4804CDY-T1-E3概述

Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A 8Pin SOIC N T/R

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 8A 3.1W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

SI4804CDY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 865pF @15VVds

额定功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4804CDY-T1-E3

型号： SI4804CDY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A 8Pin SOIC N T/R

替代型号SI4804CDY-T1-E3

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SI4804CDY-T1-E3和SI4804CDY-T1-GE3的区别