SQ4920EY-T1_GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SQ4920EY-T1_GE3概述

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 8A 4.4W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

SQ4920EY-T1_GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1465pF @15VVds

额定功率Max 4.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQ4920EY-T1_GE3

型号： SQ4920EY-T1_GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

替代型号SQ4920EY-T1_GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SQ4920EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SQ4920EY-T1_GE3和SI7938DP-T1-GE3的区别

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Vishay Siliconix

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SI7938DP-T1-GE3

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功能相似