SQJ200EP-T1_GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SQJ200EP-T1_GE3概述

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

贸泽:
MOSFET Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ200EP-T1_GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 27 W

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 975pF @10VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerPAKSO-8L-4

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.13 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8L-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQJ200EP-T1_GE3

型号： SQJ200EP-T1_GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO