SM5S36AHE3/2E参数规格_中文资料_数据手册PDF

SM5S36AHE3/2E概述

Diode TVS Single Uni-Dir 36V 3.6kW 2Pin DO-218AB T/R

58.1V Clamp 62A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-218AB

得捷:
TVS DIODE 36V 58.1V DO218AB

贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 5W 36V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified

安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 36V 3.6KW 2-Pin DO-218AB T/R

SM5S36AHE3/2E中文资料参数规格

技术参数

击穿电压 40 V

耗散功率 3.6 kW

钳位电压 58.1 V

脉冲峰值功率 3600 W

最小反向击穿电压 40 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-218AB

外形尺寸

封装 DO-218AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SM5S36AHE3/2E

型号： SM5S36AHE3/2E

描述：Diode TVS Single Uni-Dir 36V 3.6kW 2Pin DO-218AB T/R

替代型号SM5S36AHE3/2E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SM5S36AHE3/2E Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SM5S36AHE3/2D 威世	完全替代	SM5S36AHE3/2E和SM5S36AHE3/2D的区别
SM5S36A-E3/2D 威世	完全替代	SM5S36AHE3/2E和SM5S36A-E3/2D的区别
SM5S36A-TP 美微科	功能相似	SM5S36AHE3/2E和SM5S36A-TP的区别