SI8751AB-IS

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SI8751AB-IS概述

Si875x 隔离 FET 驱动器,Silicon LabsSi875x 将坚固的 CMOS 隔离技术和 MOSFET 驱动器相结合,可建立完整的隔离开关。 Si8751 上的输入侧电压很灵活,范围从 2.25 V 至 5.5 V。Si8751 数字 CMOS 引脚控制输入 Si8752 二极管仿真输入 10 V 输出,具有 1 mA 输入电流 内部生成次级侧电源 Miller 夹帽支持,可减少电感振动 输出支持驱动直流或交流负载配置 固态继电器 SSR 或机电继电器更换 ### MOSFET & IGBT 驱动器,Silicon Laboratories

Si875x 隔离 FET 驱动器,

Si875x 将坚固的 CMOS 隔离技术和 MOSFET 驱动器相结合,可建立完整的隔离开关。

Si8751 上的输入侧电压很灵活,范围从 2.25 V 至 5.5 V。

Si8751 数字 CMOS 引脚控制输入

Si8752 二极管仿真输入

10 V 输出,具有 1 mA 输入电流

内部生成次级侧电源

Miller 夹帽支持,可减少电感振动

输出支持驱动直流或交流负载配置

固态继电器 SSR 或机电继电器更换


立创商城:
Silicon Labs-APS


欧时:
Silicon Labs Si8751AB-IS 隔离式门驱动器, 2.25 → 5.5 V电源, 8引脚 SOIC封装


e络盟:
ISOLATED FET DRIVER WITH PIN CONTROL


艾睿:
Isolated FET driver with digital input


TME:
Driver; galvanically isolated; FET, gate driver; Channels:1; SO8


Verical:
Optocoupler Drive 1-CH 5.5V 1500V Automotive 8-Pin SOIC N Tube


Newark:
# SILICON LABS  SI8751AB-IS  ISOLATED FET DRIVER WITH PIN CONTROL New


SI8751AB-IS中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

通道数 1

针脚数 8

正向电压 2.7 V

耗散功率 1000 mW

上升时间 260 µs

隔离电压 2500 Vrms

下降时间 35 µs

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1000 mW

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

SI8751AB-IS引脚图与封装图
SI8751AB-IS引脚图
SI8751AB-IS封装焊盘图
在线购买SI8751AB-IS
型号: SI8751AB-IS
描述:Si875x 隔离 FET 驱动器,Silicon Labs Si875x 将坚固的 CMOS 隔离技术和 MOSFET 驱动器相结合,可建立完整的隔离开关。 Si8751 上的输入侧电压很灵活,范围从 2.25 V 至 5.5 V。 Si8751 数字 CMOS 引脚控制输入 Si8752 二极管仿真输入 10 V 输出,具有 1 mA 输入电流 内部生成次级侧电源 Miller 夹帽支持,可减少电感振动 输出支持驱动直流或交流负载配置 固态继电器 SSR 或机电继电器更换 ### MOSFET & IGBT 驱动器,Silicon Laboratories
替代型号SI8751AB-IS
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI8751AB-IS

Silicon Labs 芯科

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SI8751AB-ISR

芯科

完全替代

SI8751AB-IS和SI8751AB-ISR的区别

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SI8751AB-IS和SI8751AB-AS的区别

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