STGB30V60F

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STGB30V60F概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Surface Mount D2PAK


得捷:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin D2PAK T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STGB30V60F中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 260000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 260 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 260000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGB30V60F
型号: STGB30V60F
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

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