SMBJ150A-M3/5B

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SMBJ150A-M3/5B中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 167 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买SMBJ150A-M3/5B
型号: SMBJ150A-M3/5B
描述:ESD 抑制器/TVS 二极管 150V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol
替代型号SMBJ150A-M3/5B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SMBJ150A-M3/5B

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

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SMBJ150A-E3/52

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完全替代

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