SIHG33N65EF-GE3

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SIHG33N65EF-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.095 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 313 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

封装 TO-247

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIHG33N65EF-GE3
描述:VISHAY  SIHG33N65EF-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.6 A, 650 V, 0.095 ohm, 10 V, 4 V 新

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