SIHH21N65EF-T1-GE3

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SIHH21N65EF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 5

漏源极电阻 0.157 Ω

耗散功率 156 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 5

封装 PowerPAK

外形尺寸

封装 PowerPAK

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIHH21N65EF-T1-GE3
描述:VISHAY  SIHH21N65EF-T1-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.8 A, 650 V, 0.157 ohm, 10 V, 4 V 新

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