SIHH21N65E-T1-GE3

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SIHH21N65E-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.148 Ω

耗散功率 156 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

输入电容Ciss 2404pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156000 mW

封装参数

引脚数 5

封装 TDFN-4

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TDFN-4

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHH21N65E-T1-GE3
型号: SIHH21N65E-T1-GE3
描述:VISHAY SIHH21N65E-T1-GE3 Power MOSFET, N Channel, 20.3A, 650V, 0.148Ω, 10V, 4V New

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