SI4004DY-T1-GE3

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SI4004DY-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


得捷:
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO


SI4004DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.5W Ta, 5W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 1280pF @10VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4004DY-T1-GE3
型号: SI4004DY-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
替代型号SI4004DY-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Vishay Siliconix

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