SQ2389ES-T1_GE3

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SQ2389ES-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.125 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.3 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 12 ns

下降时间 4 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SQ2389ES-T1_GE3
型号: SQ2389ES-T1_GE3
描述:Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A 3Pin TO-236 T/R

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