SQJ431EP-T1_GE3

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SQJ431EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.178 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 83 W

上升时间 11 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPak-6

外形尺寸

封装 PowerPak-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SQJ431EP-T1_GE3
型号: SQJ431EP-T1_GE3
描述:SQJ431EP 系列 200 V 0.213 Ohms P-沟道 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8L

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