SI8275GB-IS1R参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI8275GB-IS1R概述

门驱动器 4A, 2.5 KV Dual Channel High CMTI Driver

4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC

贸泽:
门驱动器 4A, 2.5 KV Dual Channel High CMTI Driver

艾睿:
4 Amp Isolated driver with High Transient dV/dt Immunity

SI8275GB-IS1R中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 10.5ns, 13.3ns

输出电压 4.2V ~ 30V

输出电流 10 mA

通道数 2

耗散功率 1.2 W

上升时间 10.5 ns

隔离电压 2500 Vrms

下降时间 13.3 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： SI8275GB-IS1R

描述：门驱动器 4A, 2.5 KV Dual Channel High CMTI Driver