STP200N3LL

STP200N3LL图片1
STP200N3LL图片2
STP200N3LL概述

N-沟道 30 V 2.4 mOhm 法兰安装 N-沟道 功率 MOSFET - TO-220-3

通孔 N 通道 120A(Tc) 176.5W(Tc) TO-220


得捷:
MOSFET N-CH 30V 120A TO220


立创商城:
N沟道 30V 120A


贸泽:
MOSFET LGS LV MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
MOS Power Transistors LV =< 40V


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


STP200N3LL中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 176.5 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 183 ns

输入电容Ciss 5200pF @25VVds

下降时间 108 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 176.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP200N3LL
型号: STP200N3LL
描述:N-沟道 30 V 2.4 mOhm 法兰安装 N-沟道 功率 MOSFET - TO-220-3

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司