N-沟道 600 V 0.420 Ohm 法兰安装 MDmesh™ DM2 功率 MOSFET - TO-220-3
N-Channel 600V 10A Tc 110W Tc Through Hole TO-220
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
针脚数 3
漏源极电阻 0.37 Ω
极性 N-CH
耗散功率 110 W
阈值电压 4 V
输入电容 614 pF
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 6.3 ns
输入电容Ciss 614pF @100VVds
下降时间 9.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP11N60DM2 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP10NM60N 意法半导体 | 类似代替 | STP11N60DM2和STP10NM60N的区别 |