STL13N60DM2概述
N-CH 600V 8A
表面贴装型 N 通道 8A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat™（5x6）HV
得捷:
MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
安富利:
MOS Power Transistors HV >= 200V
富昌:
600V, 8A, 0.37OHM, PPAK 5X6
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
STL13N60DM2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 52 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 4.8 ns
最小反向击穿电压 600 V
输入电容Ciss 730pF @100VVds
下降时间 10.6 ns
下降时间Max 10.6 ns
上升时间Max 4.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 52W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
外形尺寸
封装 PowerVDFN-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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