STD10N60DM2概述
N-沟道 600 V 0.53 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3
表面贴装型 N 通道 8A（Tc） 109W（Tc） DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
立创商城:
STD10N60DM2
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
N-ch 600V, 0.440Ω typ., 8A MDmesh DM2 Power MOSFET T/R
STD10N60DM2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 440 mΩ
耗散功率 109 W
阈值电压 3 V
输入电容 529 pF
漏源击穿电压 600 V
上升时间 5 ns
最小反向击穿电压 600 V
输入电容Ciss 529pF @100VVds
下降时间 11.5 ns
下降时间Max 11.5 ns
上升时间Max 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 109W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STD10N60DM2
型号： STD10N60DM2
描述：N-沟道 600 V 0.53 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3