STL33N65M2概述
N-沟道 650 V 154 mOhm 表面贴装 MDmesh™ M2 功率 MOSFET -PowerFLAT 8x8 HV
N-Channel 650V 20A Tc 150W Tc Surface Mount PowerFlat™ 8x8 HV
得捷:
MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 5-Pin Power Flat EP T/R
安富利:
MOS Power Transistors HV >= 200V
富昌:
N-沟道 650 V 154 mOhm 表面贴装 MDmesh™ M2 功率 MOSFET -PowerFLAT 8x8 HV
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 5-Pin Power Flat EP T/R
STL33N65M2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150 W
上升时间 11.5 ns
最小反向击穿电压 650 V
输入电容Ciss 1790pF @100VVds
下降时间 11.5 ns
下降时间Max 11.5 ns
上升时间Max 11.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 PowerVDFN-8
外形尺寸
封装 PowerVDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STL33N65M2
型号： STL33N65M2
描述：N-沟道 650 V 154 mOhm 表面贴装 MDmesh™ M2 功率 MOSFET -PowerFLAT 8x8 HV