STE139N65M5

STE139N65M5图片1
STE139N65M5概述

N-沟道 650 V 17 mOhm 底座安装 MDmesh™ V 功率 MOSFET - ISOTOP

底座安装 N 通道 130A(Tc) 672W(Tc) ISOTOP


得捷:
MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 710V 130A 4-Pin ISOTOP Tube


安富利:
MOS Power Transistors HV >= 200V


富昌:
N-沟道 650 V 17 mOhm 底座安装 MDmesh™ V 功率 MOSFET - ISOTOP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 710V 130A 4-Pin ISOTOP Tube


STE139N65M5中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 672000 mW

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 130A

上升时间 56 ns

输入电容Ciss 15600pF @100VVds

下降时间 37 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 672W Tc

封装参数

引脚数 4

封装 ISOTOP

外形尺寸

高度 12.2 mm

封装 ISOTOP

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STE139N65M5
型号: STE139N65M5
描述:N-沟道 650 V 17 mOhm 底座安装 MDmesh™ V 功率 MOSFET - ISOTOP

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