STD11N60DM2

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STD11N60DM2概述

N-沟道 600 V 0.42 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3

表面贴装型 N 通道 10A(Tc) 110W(Tc) DPAK


欧时:
STMicroelectronics, STD11N60DM2


得捷:
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
STMSTD11N60DM2


富昌:
N-沟道 600 V 0.42 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK / N-Channel 650 V 10A Tc 110W Tc Surface Mount DPAK


STD11N60DM2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.37 Ω

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 6.3 ns

输入电容Ciss 614pF @100VVds

下降时间 9.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STD11N60DM2
型号: STD11N60DM2
描述:N-沟道 600 V 0.42 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3

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