N-沟道 600 V 0.42 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3
表面贴装型 N 通道 10A(Tc) 110W(Tc) DPAK
欧时:
STMicroelectronics, STD11N60DM2
得捷:
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
STMSTD11N60DM2
富昌:
N-沟道 600 V 0.42 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK / N-Channel 650 V 10A Tc 110W Tc Surface Mount DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.37 Ω
耗散功率 110 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 6.3 ns
输入电容Ciss 614pF @100VVds
下降时间 9.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99