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STL11N6F7概述

STL11N6F7 系列 60 V 11 A 12 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet-PowerFlat-3x3

N-Channel 60V 11A Ta 2.9W Ta, 48W Tc Surface Mount PowerFlat™ 3.3x3.3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 47A 8-Pin Power Flat EP T/R

富昌:
STL11N6F7 系列 60 V 11 A 12 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet-PowerFlat-3x3

STL11N6F7中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 48000 mW

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 47A

上升时间 15.3 ns

输入电容Ciss 1035pF @30VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.9W Ta, 48W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 3X3-8

外形尺寸

封装 3X3-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： STL11N6F7

描述：STL11N6F7 系列 60 V 11 A 12 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet-PowerFlat-3x3