N-沟道 600 V 0.365 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3
表面贴装型 N 通道 11A(Tc) 110W(Tc) DPAK
立创商城:
STD13N60DM2
得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
欧时:
STMicroelectronics, STD13N60DM2
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.31 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
N-channel 600 V, 0.310 Ω typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK / N-Channel 600 V 11A Tc 110W Tc Surface Mount DPAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 310 mΩ
耗散功率 110 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 4.8 ns
输入电容Ciss 730pF @100VVds
下降时间 10.6 ns
下降时间Max 10.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99