STD13N60DM2

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STD13N60DM2概述

N-沟道 600 V 0.365 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3

表面贴装型 N 通道 11A(Tc) 110W(Tc) DPAK


立创商城:
STD13N60DM2


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK


欧时:
STMicroelectronics, STD13N60DM2


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.31 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
N-channel 600 V, 0.310 Ω typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK / N-Channel 600 V 11A Tc 110W Tc Surface Mount DPAK


STD13N60DM2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 310 mΩ

耗散功率 110 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 4.8 ns

输入电容Ciss 730pF @100VVds

下降时间 10.6 ns

下降时间Max 10.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: STD13N60DM2
描述:N-沟道 600 V 0.365 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3

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