SCT3030KLGC11

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SCT3030KLGC11概述

SCT3030KL 系列 1200 V 72 A 39 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

SCT3030KL Series 1200 V 72 A 39 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N


得捷:
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N


欧时:
MOSFET N-Channel 72A 1200V SiC TO-247


立创商城:
N沟道 1.2kV 72A


贸泽:
MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 72A 3-Pin3+Tab TO-247N Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 72A 3-Pin3+Tab TO-247N Tube


SCT3030KLGC11中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 30 mΩ

耗散功率 339 W

阈值电压 5.6 V

漏源极电压Vds 1200 V

漏源击穿电压 1200 V

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 2222pF @800VVds

下降时间 29 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 339W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SCT3030KLGC11
型号: SCT3030KLGC11
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:SCT3030KL 系列 1200 V 72 A 39 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

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