SCT3022ALGC11参数规格_中文资料_数据手册PDF

SCT3022ALGC11概述

SCT3022AL 系列 650 V 93 A 28.6 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

二极管与整流器

得捷:
SICFET N-CH 650V 93A TO247N

欧时:
MOSFET N-Channel 93A 650V SiC TO-247

贸泽:
MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin3+Tab TO-247N Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin3+Tab TO-247N Tube

SCT3022ALGC11中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 22 mΩ

耗散功率 339 W

阈值电压 5.6 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 53 ns

输入电容Ciss 2208pF @500VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 339W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SCT3022ALGC11

型号： SCT3022ALGC11

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SCT3022AL 系列 650 V 93 A 28.6 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N