SCT3160KLGC11概述
SCT3160KL 系列 1200 V 17 A 208 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
SCT3160KL Series 1200 V 17 A 208 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
得捷:
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
立创商城:
N沟道 1.2kV 17A
欧时:
MOSFET N-Channel 17A 1200V SiC TO-247
贸泽:
MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
e络盟:
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 17 A, 1.2kV, 0.16欧姆, 18V, 5.6 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin3+Tab TO-247N Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin3+Tab TO-247N Tube
SCT3160KLGC11中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 160 mΩ
耗散功率 103 W
阈值电压 5.6 V
漏源极电压Vds 1200 V
漏源击穿电压 1200 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 398pF @800VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 103W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SCT3160KLGC11
型号： SCT3160KLGC11
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：SCT3160KL 系列 1200 V 17 A 208 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N