SCT3080KLGC11概述
SCT3080KL 系列 1200 V 31 A 104 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
通孔 N 通道 31A（Tc） 165W（Tc） TO-247N
得捷:
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
立创商城:
N沟道 1.2kV 31A
欧时:
MOSFET N-Channel 31A 1200V SiC TO-247
贸泽:
MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin3+Tab TO-247N Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin3+Tab TO-247N Tube
SCT3080KLGC11中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 80 mΩ
耗散功率 165 W
阈值电压 5.6 V
漏源极电压Vds 1200 V
漏源击穿电压 1200 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 785pF @800VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 165W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SCT3080KLGC11
型号： SCT3080KLGC11
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：SCT3080KL 系列 1200 V 31 A 104 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N