SUM110N04-05H-E3概述
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDSON 0.0044Ω; ID 110A; TO-263; PD 150W; VGS 20V
表面贴装型 N 通道 40 V 110A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） TO-263（D²Pak）
得捷:
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
贸泽:
MOSFET 40V 110A 150W
SUM110N04-05H-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0106 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
输入电容 6700pF @25V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 95.0 ns
输入电容Ciss 6700pF @25VVds
下降时间 12 nS
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75W Ta, 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.414 mm
高度 4.826 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SUM110N04-05H-E3
型号： SUM110N04-05H-E3
制造商：
Vishay Siliconix
描述：MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDSON 0.0044Ω; ID 110A; TO-263; PD 150W; VGS 20V