SSM3K09FU N沟道MOSFET 20V 400mA/0.4A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 DJ ESD保护/低导通电阻/高速开关
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 400mA/0.4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.8Ω/Ohm @200mA,4V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.6-1.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications High Speed Switching Applications • Small package • Low on resistance : Ron = 0.8 Ω max @VGS = 4 V Ron = 1.2 Ω max @VGS = 2.5 V • Low gate threshold voltage Absolute Maximum Rati 描述与应用| 场效应的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 高速开关应用 •小型封装 •低导通电阻RON =0.8Ω最大（@ VGS=4 V） 罗恩= 1.2Ω最大（@VGS= 2.5 V） •低栅极阈值电压 绝对最大慧慧