SPB160N04S2L-03

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SPB160N04S2L-03中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 160 A

通道数 1

漏源极电阻 2.7 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 300 W

输入电容 8.00 nF

栅电荷 230 nC

漏源极电压Vds 40.0 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 160 A

上升时间 80 ns

下降时间 72 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: SPB160N04S2L-03
制造商: Infineon 英飞凌
描述:的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

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