SPP11N60CFD

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SPP11N60CFD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 11.0 A

通道数 1

漏源极电阻 440 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 4 V

输入电容 1.20 nF

栅电荷 64.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 18 ns

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

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型号: SPP11N60CFD
描述:酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
替代型号SPP11N60CFD
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