SPD07N60C2

SPD07N60C2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7.3A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 970pF @25VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DPAK-252

外形尺寸

封装 DPAK-252

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SPD07N60C2
型号: SPD07N60C2
制造商: Infineon 英飞凌
描述:酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
替代型号SPD07N60C2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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