SPA11N60C2

SPA11N60C2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SPA11N60C2
型号: SPA11N60C2
制造商: Infineon 英飞凌
描述:酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor

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