SMBT2907A

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SMBT2907A概述

PNP硅开关晶体管 PNP Silicon Switching Transistors

● High DC current gain: 0.1mA to 500 mA

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary type: SMBT2222A/ MMBT2222A NPN


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin SOT-23


SMBT2907A中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

在线购买SMBT2907A
型号: SMBT2907A
制造商: Infineon 英飞凌
描述:PNP硅开关晶体管 PNP Silicon Switching Transistors
替代型号SMBT2907A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SMBT2907A

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

SMBT2907AE6327

英飞凌

完全替代

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