SSM6L05FU 复合场效应管 20V/-20V 400mA/-200mA SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 K4 电源管理 高速开关
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V/-20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V/12V 最大漏极电流IdDrain Current| 400mA/-200mA 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 800mΩ@ VGS = 4V, ID = 200mA / 3300mΩ@ VGS = -4V, ID =-100mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.6~1.1V/-0.6~-1.1V 耗散功率PdPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Small package Low on resistance Q1: Ron = 0.8 Ω max @VGS = 4 V Q2: Ron = 3.3 Ω max @VGS = −4 V Low gate threshold voltage 描述与应用| 场效应晶体管的硅N/ P沟道MOS类型 电源管理开关 高速开关应用 ？小型封装 ？低阻力Q1：RON =0.8Ω（最大）（@ VGS=4 V） Q2：RON =3.3Ω（最大值）（@ VGS=-4 V） ？低栅极阈值电压