STB60NH02L

STB60NH02L图片1
STB60NH02L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 24 V

连续漏极电流Ids 60A

输入电容Ciss 1400pF @15VVds

额定功率Max 70 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: STB60NH02L
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:N沟道24V - 0.0085欧姆 - 60A D2PAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET

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