MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
表面贴装型 N 通道 150 V 13A（Tc） 3.8W（Ta），5.2W（Tc） PowerPAK® 1212-8
得捷:
MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
漏源极电阻 0.126 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 33 W
输入电容 600pF @75V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
输入电容Ciss 600pF @75VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 5.2W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 1212-8
长度 3.15 mm
高度 1.07 mm
封装 1212-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7620DN-T1-GE3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SI7818DN-T1-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SI7620DN-T1-GE3和SI7818DN-T1-GE3的区别 |
SI7818DN-T1-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | SI7620DN-T1-GE3和SI7818DN-T1-E3的区别 |