SI1553DL

SI1553DL中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 385 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 300 mW

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids -700 mA to 700 mA

封装参数

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI1553DL
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:SI1553DL 复合场效应管 20V/-20V 660mA/-410mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 RAY

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