STGB15M65DF2

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STGB15M65DF2概述

IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss

IGBT Trench Field Stop 650V 30A 136W Surface Mount D2PAK


得捷:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE


立创商城:
STGB15M65DF2


贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**IGBT M Series 650V 15A D2Pak **


STGB15M65DF2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 136 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 142 ns

额定功率Max 136 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGB15M65DF2
型号: STGB15M65DF2
描述:IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss

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