SI4621DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4621DY-T1-E3概述

Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8Pin SOIC N T/R

P-Channel 20V 6.2A Tc 2W Ta, 3.1W Tc Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8SO

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8-Pin SOIC N T/R

SI4621DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2W Ta, 3.1W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 450pF @10VVds

耗散功率Max 2W Ta, 3.1W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4621DY-T1-E3

型号： SI4621DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8Pin SOIC N T/R

替代型号SI4621DY-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4621DY-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI4823DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SI4621DY-T1-E3和SI4823DY-T1-GE3的区别

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SI4621DY-T1-E3

Vishay Siliconix

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SI4823DY-T1-GE3

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