漏源极电阻 35.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 45.0 A
安装方式 Through Hole
封装 TO-220
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
STP45N10
ST Microelectronics 意法半导体
当前型号
RFP40N10
飞兆/仙童
功能相似
SMP40N10
Vishay Siliconix