STP45N10

STP45N10图片1
STP45N10中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 35.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 45.0 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP45N10
型号: STP45N10
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:N - CHANNEL 100V - 0.027ohm - 45A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOS晶体管 N - CHANNEL 100V - 0.027ohm - 45A - TO-220/TO-220FI POWER MOS TRANSISTOR
替代型号STP45N10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP45N10

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

RFP40N10

飞兆/仙童

功能相似

STP45N10和RFP40N10的区别

SMP40N10

Vishay Siliconix

功能相似

STP45N10和SMP40N10的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司